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Journal Of Vacuum Science & Technology B
SCIE
国际简称:J VAC SCI TECHNOL B
ISSN:1071-1023
参考译名:真空科学与技术学报B
E-ISSN:2166-2754
期刊导读:
Journal Of Vacuum Science & Technology B是一本以ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC为研究方向的国际优秀学术杂志,是由A V S AMER INST PHYSICS出版的一本English杂志,该杂志定期发表与ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC研究领域相关的原创研究论文、简短交流和评论、实验室研究文档以及行业研究的高水平学术成果、最新科研理论。为全球同行业研究人员架起沟通的桥梁,致力于加速该领域的发展,为该领域的发展做出重要贡献。

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中科院分区4区
JCR分区Q3
影响因子1.5
预计审稿周期约3.0个月
基本信息
大类学科:工程技术
小类学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
出版商:A V S AMER INST PHYSICS
是否开放:No
出版语言:English
出版地区:UNITED STATES
出版周期:Bimonthly
出版年份:1991
年发文量:197
Gold OA文章占比:16.37%
研究类文章占比:96.45%
文章自引率:0.1428
是否预警:否
截稿时间:长期
期刊简介

Journal Of Vacuum Science & Technology B杂志是一本国际优秀期刊,是一本未开放获取期刊。该杂志近三年影响因子分别为:2023年1.5、2022年1.4、2021年1.572。该刊专门致力于推进ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的研究,涵盖了ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的各个方面,汇集所有专家,促进ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的更好协作和信息共享。该期刊为ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的科研人员提供了一个高影响力的论坛,使该领域的科研人员、从业人员和学生能够接触到尖端的经验性调查分析、学术对话以及行业科研成果的最新发展。通过收录高质量的原创论文和评论论文,促进ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC领域的应用与发展。该期刊还将该领域的创新与应用,以提高研究的质量和实用性。

Journal Of Vacuum Science & Technology B是一本由A V S AMER INST PHYSICS出版社发行的知名ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC期刊。该杂志社联系方式A V S AMER INST PHYSICS, STE 1 NO 1, 2 HUNTINGTON QUADRANGLE, MELVILLE, USA, NY, 11747-4502。审稿过程是确保期刊质量的关键环节。Journal Of Vacuum Science & Technology B杂志的审稿速度平均需要 约3.0个月 。这一时间周期既体现了编辑部对稿件质量的严格把关,也反映了审稿专家对学术研究的尊重和支持。在这个过程中,作者们可以充分利用这段时间对自己的研究成果进行完善和优化,以提高论文的质量和影响力。如果您对该期刊感兴趣,并希望了解更多关于投稿流程、投稿要求和技巧的信息,您可以咨询本站的客服老师,我们将帮助您了解期刊的投稿要求、审稿流程以及可能遇到的问题,并根据您的具体情况提供相应的建议和解决方案。

近年评价数据趋势图
WOS(JCR)分区
按JIF指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 252 / 352
28.6%
28.6% Complete
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 115 / 140
18.2%
18.2% Complete
学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 134 / 179
25.4%
25.4% Complete
按JCI指标学科分区 收录子集 分区 排名 百分位
学科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 278 / 354
21.61%
21.61% Complete
学科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q4 115 / 140
18.21%
18.21% Complete
学科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q4 145 / 179
19.27%
19.27% Complete
WOS(JCR)分区是由科睿唯安公司提出的一种新的期刊评价指标,分区越靠前一般代表期刊质量越好,发文难度也越高。这种分级体系有助于科研人员快速了解各个期刊的影响力和地位。JCR将所有期刊按照各个学科领域进行分类,然后以影响因子为标准平均分为四个等级:Q1、Q2、Q3和Q4区。这种设计使得科研人员可以更容易地进行跨学科比较。
中科院SCI期刊分区
中科院SCI期刊分区是由中国科学院国家科学图书馆制定的。将所有的期刊按照学科进行分类,以影响因子为标准平均分为四个等级。分区越靠前一般代表期刊质量越好,发文难度也越高。
2023年12月升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
4区
2021年12月旧的升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
4区
2021年12月基础版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
4区
2021年12月升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
4区
2020年12月旧的升级版
Top期刊 综述期刊 大类学科 小类学科
工程技术
4区
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:电子与电气
4区
发文统计

文章名称

引用次数

Review Article: Synthesis, properties, and applications of fluorescent diamond particles

21

Review Article: Atomic layer deposition of optoelectronic materials

14

Tutorial on interpreting x-ray photoelectron spectroscopy survey spectra: Questions and answers on spectra from the atomic layer deposition of Al2O3 on silicon

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Future prospects of fluoride based upconversion nanoparticles for emerging applications in biomedical and energy harvesting

7

Realizing ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 with elemental capping layers

7

High-density energy storage in Si-doped hafnium oxide thin films on area-enhanced substrates

6

Minimal domain size necessary to simulate the field enhancement factor numerically with specified precision

6

Direct metal etch of ruthenium for advanced interconnect

6

Reduced twinning and surface roughness of Bi2Se3 and Bi2Te3 layers grown by molecular beam epitaxy on sapphire substrates

6

Atomic force microscope integrated with a scanning electron microscope for correlative nanofabrication and microscopy

6

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